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研究了氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的规律。研究结果表明，由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移。蓝移的大小与量子阱的宽度，阱距表面深度，注入离子剂量，能量，及退火条件有关。研究所得的参数对设计量子阱庥成光器件有重要参考价值。
氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的研究
【摘 要】
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研究了氖离子注入诱导ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱材料带隙变化的规律。研究结果表明，由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移。蓝移的大小与量子阱的宽度，阱距表面深度，注入离子剂量，能量，及退火条件有关。研
【机 构】
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师范大学物理系(天津)
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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1999年期
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