【摘 要】
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NTD Si材料与原始单晶硅相比,其缺陷和位错有所增加,特别是EPR缺陷增加显著,电阻率增加20%左右,150(?)·cm以上的电阻率曲线还存在一个较弱的吸收峰值。辐照处理后的NTD Si材
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NTD Si材料与原始单晶硅相比,其缺陷和位错有所增加,特别是EPR缺陷增加显著,电阻率增加20%左右,150(?)·cm以上的电阻率曲线还存在一个较弱的吸收峰值。辐照处理后的NTD Si材料,其点阵常数普遍增大,[111]方向的缺陷明显增多。中照50小时后,局部出现辐照损伤。
Compared with the original monocrystalline silicon, NTD Si has more defects and dislocations. In particular, the defects of EPR increase significantly, the resistivity increases about 20%, and the resistivity curve of 150D? Absorption peak. The NTD Si material after irradiation has a general increase in lattice constant and a significant increase in defects in the [111] direction. After 50 hours of exposure, local irradiation damage occurred.
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