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本文提出了高能电子位移能量损失的Monte Carlo模拟方法,利用该方法计算了高能电子在半导体硅中的阻止本领及产生的缺陷分布.计算结果与文献符合较好.
电子辐射损伤Monte Carlo模拟方法
【摘 要】
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本文提出了高能电子位移能量损失的Monte Carlo模拟方法,利用该方法计算了高能电子在半导体硅中的阻止本领及产生的缺陷分布.计算结果与文献符合较好.
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所(西安)西北核技术研究所(西安)
【出 处】
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第三届计算物理学术会议
【发表日期】
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2001年8期
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