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CdS和PbS量子点是一种很具发展潜力的宽带隙半导体的共敏化剂,但是存在界面空穴转移速率小、可见光区的内量子效率低等需要解决的技术瓶颈。用原子层沉积技术(Atomic layer deposition,ALD)在量子点敏化TiO2纳米管阵列结构的外表面沉积一层均匀、保形性好的超薄Al2O3 覆盖层,能大幅提高电极的光电性能。