【摘 要】
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以SnCl2作为锡源和Sn2+自掺杂剂、NaF作为晶体生长控制剂,通过水热合成了由Sn2+自掺杂SnO2纳米片组成的花状等级结构,或者在透明导电基底上生长的纳米片阵列。研究并发现
【机 构】
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西安交通大学电气工程学院,电力设备电气绝缘国家重点实验室,新型储能与能量转换纳米材料研究中心,西安710049
【出 处】
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第十四届全国太阳能光化学与光催化学术会议
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以SnCl2作为锡源和Sn2+自掺杂剂、NaF作为晶体生长控制剂,通过水热合成了由Sn2+自掺杂SnO2纳米片组成的花状等级结构,或者在透明导电基底上生长的纳米片阵列。研究并发现：1)通过调控NaF/SnCl2摩尔比例,可实现对SnO2纳米片晶体生长取向的控制,得到了{102}和{113}晶面暴露的SnO2纳米片；2)NaF强烈抑制SnCl2的水解,使其倾向于异质成核生长,通过预先制备SnO2种子层,可实现在多种基底上生长纳米片阵列；3)在密闭高压釜内和NaF的抑制下,Sn2+仅部分氧化成Sn4+,经水解、结晶,形成 Sn2+掺杂的SnO2,通过莫斯鲍尔谱确定了Sn2+/Sn4+比例,同时第一性原理计算表明Sn2+掺杂及因此导致的氧空位,产生次生能级,缩小了SnO2带隙,使其产生可见光相应；4)以钛酸纳米线做前驱体和钛源,实现了Ti4+/Sn2+共掺杂SnO2纳米片的线性自组装；5)研究了Sn2+掺杂对SnO2纳米片晶体结构的影响,以其在FTO导电玻璃的薄膜作为电极,研究了热处理对其光学和光电性能的影响。
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