【摘 要】
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用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀释硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明
【机 构】
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科学技术大学研究生院物理系(北京)
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用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀释硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为在非品硅膜中H以SiH为主，在微晶硅膜中H以SiH为主且主要存在于晶粒的界面。
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