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密度和间距可控的ZnO纳米线阵列在光电器件以及太阳能光伏器件中具有重要的应用前景.在本篇工作中，我们利用电子束刻蚀技术结合水热生长方法在硅片上构筑了间距和密度可控的ZnO纳米线阵列.通过电子束刻蚀技术可以调控ZnO纳米线阵列的间距，控制水热合成的条件可以控制ZnO纳米线阵列的密度.最后利用显微探针台对图案化的ZnO纳米线阵列的光电性质进行了研究，结果显示其对紫外光有很高的检测灵敏度，检测值可达104.控制合成图案化ZnO纳米线阵列并对其光电性质进行研究对基于ZnO纳米线阵列的光电器件具有重要的意义.