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该文报道了对掺金(Au),掺铂(Pd)二极管的正向压降 ̄反恢时间兼容性的实验研究结果。观测到掺Pd二极管的V〈,FF〉 ̄t〈,rr〉兼容性较掺Au,Pt管更为良好,而按照Baliga建立的快恢复二极管特性的理论分析,掺Pd硅二极管的V〈,FF〉 ̄t〈,rr〉兼容性应最差。这一事实表明,具体的器件结构和工艺对V〈,FF〉 ̄t〈,rr〉特性有很重要的影响,对此进行了初步分析和讨论。