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本文对一种阳极凹槽肖特基二极管进行了研究。器件反偏时，阳极凹槽引入的横向电场可以加快漂移区耗尽，降低阳极电场，从而可以提高器件的击穿电压。通过器件仿真，从耐压的角度，对阳极凹槽深度进行了优化。当阳极凹槽深度为0.7μm时，阳极凹槽肖特基二极管能够获得最大击穿电压为1173V。
4H-SIC阳极凹槽肖特基二极管耐压与凹槽深度的关系
【摘 要】
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本文对一种阳极凹槽肖特基二极管进行了研究。器件反偏时，阳极凹槽引入的横向电场可以加快漂移区耗尽，降低阳极电场，从而可以提高器件的击穿电压。通过器件仿真，从耐压的角度，对阳
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
【出 处】
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2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会
【发表日期】
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2009年期
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