PECVD法沉积非晶SiOx薄膜的红外吸收特性研究

• 作 者: 何乐年;王德苗;鲁效;
• 机 构: 浙江大学,信息与电子工程学系薄膜研究室,310027
• 出 处: 华东三省一市第三届真空学术交流会
• 发表日期: 2000年期

　　本文用冨里叶红外光谱(FT-IR)测试分析了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的非晶SiOx(0＜x＜2.0)薄膜中的Si-O-Si伸缩振动模与氧含量x的关系.Si-O-Si伸缩振动模在1000cm-1和1150cm-1有两个吸收峰.1000cm-1和1150cm-1吸收强度之和Isum与薄膜中的Si原子密度Nsi之比,Isum/Nsi,在x=0～2.0的范围内和x成正比.求得比例系数Asio(Si-O-Si谐振子强度的倒数)为1.48×1019cm-1.用Asio可快速简便地求a-SiOx膜中的氧含量.