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本文结合LCOS驱动电路中的高压单管传输门的要求,设计了双漂移区厚栅氧LDMOS的结构,实现传输高电压的要求.利用Tsuprem4软件对所设计的器件进行了物理模拟,获得了沟道长度、漂移区长度、栅氧厚度等等各种实用的结构参数和漂移区、沟道区等各个区域的掺杂浓度,确定了各区的注入剂量;利用medici软件模拟了器件的开启电压、击穿电压、漏电流、驱动电流等性能参数,得到了源栅漏三极耐压均超过30V、漏电流小于1E-10A、驱动电流5.4mA的NMOS晶体管;提出了可行的制造方案和工艺流程,为LCOS高压驱动电路的集成提供了物理基础和工艺参考.