【摘 要】
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以Si粉体作为起始原料,以Zr02-Y203-MgO作为三元烧结助剂体系,通过流延成型和低温无压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片,研究了ZrO2的引入对于氮化硅尚瓷的低温烧结致密化和
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京210009
【出 处】
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第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会
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以Si粉体作为起始原料,以Zr02-Y203-MgO作为三元烧结助剂体系,通过流延成型和低温无压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片,研究了ZrO2的引入对于氮化硅尚瓷的低温烧结致密化和热导率的影响规律.实验发现,氧化锆的引入可以明显降低烧结温度,在1800℃.实现氮化硅陶瓷的无压烧结.材料的密度可以达到99％以上,热导率达到72w/m·K.
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