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采用ArF准分子脉冲激光沉积法(PLD),在石英玻璃衬底上制备出均匀透明的srBi2Ta2O9铁电薄膜。紫外透射光谱研究表明在波长为370~900nm范围薄膜具有很好的透光性,在300nm处有一陡峭的吸收边,由半导体理论计算得到SBT薄膜的禁带宽度为3.25eV。室温红外富里时变换光谱测试显示SBT薄膜在室温下对中红外光表现出良好的吸收,这种薄膜有可能在室温红外焦平面列阵中得到应用。