Ti/Pt/Au-n-GaN欧姆接触电极研究

• 作 者: 曾畅 王海 史永生 杨辉 张书明 朱建军 赵德刚 江德生 刘宗顺 王辉 种明 段俐宏
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京 100083 中国科学院半导体研究所,集成
• 出 处: 第十二届全国固体薄膜会议
• 发表日期: 2010年7期
• 关键词: 欧姆接触 热稳定 n-GaN 同步辐射 互扩散

本文研究了Ti/Pt／Au多层金属结构与n-GaN的电学接触热稳定特性。将样品在氮气保护下选择不同温度快速热退火10分钟，并运用圆形传输线模犁表征了其比接触电阻率。结果表明：在低于480℃的温度下退火后，其特性仍为良好的欧姆接触特性且比接触电阻率低于8×10-4Ωcm2。同步辐射实验表明：在N2氛围中480℃退火10分钟，Pt层有效阻挡了Au的扩散，同时，Pt与Ti的扩散在580℃时才比较明显。ASE深度分析也表明：480℃退火，Pt有效地阻挡了Au向里的扩散，Pt和Ti之间存在一定程度的互扩散，但Pt并没有扩散至GaN表面。Ti／Pt/Au在580℃退火后，其特性由退火前的欧姆特性变为退火后的肖特基特性可归因于Pt通过Ti扩散至GaN表面。