【摘 要】
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在GaN、ZnO等材料中,由于没有严格的对称面,正负电荷的中心无法重合,这会导致材料的自发极化,产生极化电荷,进而产生极化电场,极化电场会减小载流子的复合几率[1].GaN、ZnO光电器件中既有自发极化效应也有压电极化效应,器件内电子空穴复合几率会因此减小,内量子效率也因为这个.
【机 构】
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江汉大学物理与信息工程学院,湖北武汉430056 华中科技大学光电学院 湖北武汉430074
【出 处】
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湖北省物理学会、武汉物理学会2015学术年会
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在GaN、ZnO等材料中,由于没有严格的对称面,正负电荷的中心无法重合,这会导致材料的自发极化,产生极化电荷,进而产生极化电场,极化电场会减小载流子的复合几率[1].GaN、ZnO光电器件中既有自发极化效应也有压电极化效应,器件内电子空穴复合几率会因此减小,内量子效率也因为这个.
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