PMN：BZN：PT陶瓷介电性能的研究

• 作 者: 王群 刘益民 孟中岩
• 机 构: 西安交通大学
• 出 处: 第六届全国电介质物理、第二届全国工程电介质学术会议
• 发表日期: 1991年期
• 关键词: 陶瓷 介电特性 特性变化 理论计算 晶格畸变 介质模型 介电常数 改性处理 定性分析 单一组分 掺杂 衍射谱 二次相 Ｘ射线 晶界 结构 厚度 方法 测量

该文采用ＰＭＮ与ＢＺＮ：ＰＴ固溶的方法对单一组分的ＰＭＮ进行改性处理，通过复合介质模型的理论计算，结合Ｘ射线衍射谱测量，定性分析了掺杂Ｋ＃+[+]、Ｌａ＃+[3+]、Ｍｇ＃+[2+]和Ｎｂ＃+[3+]分别对介电特性以及结构的影 响，结果表明：Mg＃+[2+]与Nb＃+[3+]过量引起晶界二次相厚度的变化是宏观介电常数变化的主要原因：Ｋ＃+[+]与Ｌａ＃+[3+]掺杂引起的晶格畸变是介电特性变化的主要原因。（本刊录）