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本文介绍了21世纪微电子光刻技术的发展趋势.深紫外(DUV)光刻、X射线光刻、电子束投影光刻、离子束投影光刻都是实现特征线宽0.1微米以下的探索途径.国际公认光刻技术将进一步向前延伸,并已打破了光学光刻线宽0.13微米极限的传统概念.在当今信息时代,世界半导体工业按照摩尔定律以强劲的发展势头向前发展.光刻特征线宽越来越小,硅片直径越来越大.至2001年,0.18微米特征线宽、12英寸硅片已进入生产经.以荷兰ASML公司为代表的ArF投影光刻机已开发出双工件台机型TMINSCAN400、AT700S、AT750系列.193nm ArF分布重复投影光刻机的光刻线宽可达0.1微米,加上相移掩模技术、离轴照明技术、光学邻近效应校正、工艺等技术,Intel公司试验证明光刻线宽可达0.07微米.ASML公司、NIKON公司、CANON公司等生产的深紫外光刻机占据国际市场的85﹪以上,普遍采用分布扫描技术、混合匹配曝光、离轴照明、相移掩模等技术.并正在组织国际上最有实力的公司开发157nm准分子激光光刻机.157nm、126nm波长准分子激光光刻技术将是193nm ArF准分子激光光刻的后续技术.据专家分析预言,它将是今后0.05～0.1微米大生产的主流技术.X射线光刻(EUV)13～14nm光刻、电子束投影光刻技术将是今后0.05～0.1微米大生产的主流技术.X射线光刻(EUV)13～14nm光刻、电子束投影光刻技术将是实现小于0.05微米的未来光刻技术.随着线宽越来越细,硅片尺寸越来越大的光刻设备发展趋势,微电子光学设备的作用和地位显得更为重要.一代器件需要一代设备来生产,一代新设备必将导致新一代IC的大生产工艺,遵循一代器件、一代设备、一代工艺的发展规律.中科院光电技术研究所随着我国高新技术的不断发展,在自适应光学、微光学与微电子设备、光学工程、激光光束控制技术、光机电一体化技术等优势学科领域取得了具有前瞻性、创新性的科技成果.不电所从事微电子专用光学设备研究已有20多年的历史.从国家"六五"开始,进展到"八五"、"九五"一直承担国家科技攻关项目和中国科学院重大项目研究,已研制出1.25微米分布重复投影光刻机,首先完成0.8～1微米分布重复投影光刻机,0.7微米i线曝光机、研制成功多种型号的电子束曝光机激光定位工件台、硅片检查仪、X射线接近式光刻机、掩模检查仪等设备.最新研制成功刻蚀深度可达600微米的深刻蚀i线光刻机,可广泛用于微光机电系统(MEMS)的研究.使光电所不仅在微电子光学设备研制技术上,而且在加工、试制、测试条件上具备了国内最好的工作基础.国家科技部、信息产业部非常重视和关注IC产业和微电子设备产业化,引进、消化、吸收、联合是必由之路,发展有我国自主知识产权的微电子设备产业是当务之急.