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利用硅碳棒加热单晶生长炉,采用改进的坩埚下降法,在最高温度900℃,坩埚相对下降速度约为1.7cm/h 条件下,生长出直径为Φ50mm 的纯镁单晶.通过X 射线衍射、金相等手段研究分析了所生长镁单晶的晶体质量.
纯镁单晶制备研究
【摘 要】
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利用硅碳棒加热单晶生长炉,采用改进的坩埚下降法,在最高温度900℃,坩埚相对下降速度约为1.7cm/h 条件下,生长出直径为Φ50mm 的纯镁单晶.通过X 射线衍射、金相等手段研究分
【机 构】
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中科院固体物理研究所,合肥230031
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年期
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