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在硅衬底上外延GaN,提供了一种新的技术平台,能够加速氮化镓在光电子和微电子方面的应用进一步扩大.本文介绍在硅衬底上GaN基发光二极管研制方面的进展.
硅衬底上GaN基LED的进展
【摘 要】
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在硅衬底上外延GaN,提供了一种新的技术平台,能够加速氮化镓在光电子和微电子方面的应用进一步扩大.本文介绍在硅衬底上GaN基发光二极管研制方面的进展.
【机 构】
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福建福日科光电子有限公司(福州)
【出 处】
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第八届全国LED产业研讨与学术会议
【发表日期】
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2002年9期
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