六方氮化硼/铱(111)表面铯的吸附与插层

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：minister635298

【摘要】

：

单层六方氮化硼(hBN)是一种重要的宽能隙二维绝缘体。然而关于单层hBN 的能隙大小,能隙是否直接等问题至今仍无定论。在金属表面外延生长的二维材料上沉积碱(土)金属可引入强电场。其引发的栅极效应1,2(或场效应3)可以使二维材料能带产生相对费米能级的移动。角分辨光电子能谱(ARPES)将能够探测到更丰富的电子结构。

【作者】

：

Cai Jiaqi Wouter Jolie Caio Silva Marin Petrovi(c) Christoph Schlueter Tien-Lin Lee Marko Kralj Carsten Busse

【机构】

：

Institut für Materialphysik,Universit(a)t Münster,Deutchland;Ⅱ.Physikalisches Institut,Universit(a)t

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

hBN 电子结构吸附与插层 STM XPS XSW ARPES 栅极效应莫列条纹

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