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CuInSe<,2>(CIS)是很有希望的太阳电池料。采用高温工艺合成了黄铜矿型CIS多晶半导体材料，对CIS进行了EPMA、XRD、DTA、TEM等分析，发现高温合成CIS化学组成均一、Cu/In/Se比值近于化学计量比；结构属黄铜矿型，四方晶系；溶点及相转变温度分别为T<,m>=984℃，T<,γε>=796～807℃；CIS中存在着由离子空位引起的四方晶格畸变。CIS的组成、结构及结构缺陷是影响CIS光伏性能的重要因素。为进一步优化CIS的光伏性能，可在CIS中加入一定的Ga、S，从而扩大CIS系太阳电池材料的组成范围。