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ZnO是直接宽带隙(室温下3.37 eV)半导体材料,且具有较高的激子结合能(室温下为60 meV),远大于室温热能(26 meV),因而在室温下可以获得高效的紫外发光,已经引起人们广泛的关注.适当条件下,掺杂的ZnO纳米材料可改变晶体生长习性、形貌,并表现出更为优异的光电性能,具有更为广阔的应用前景.我们采用化学气相沉积方法合成了具有不同成分和形貌的氧化锌基纳米结构,并利用X射线衍射、扫描电子显微镜以及透射电子显微镜对合成产物的形貌、成分和微观晶体结构进行了系统研究[1-6].近来,利用电子能量损失谱,研究了ZnO：S/ZnO异质结纳米结构和InGaO3(ZnO)3纳米带的电子结构[7,8].ZnO：S/ZnO异质结纳米结构具有的三维鱼骨结构,其中"脊"部为S掺杂的ZnO,而"刺"为ZnO.我们对两部分结构的低能电子能量损失谱以及Zn和O元素的近带边精细结构进行了比较分析,讨论了S掺杂对ZnO电子结构的影响.虽然In2-xGaxO3(ZnO)m材料的电学性能具有明显的各向异性,基于电子能量损失谱得到的InGaO3(ZnO)3纳米带电子有效质量却表现为各向同性.这一结果既是对理论工作的检验,也为建立了In2-xGaxO3(ZnO)m材料微结构与光电性质的联系提供了实验基础.