适用于低功耗SOC系统的高精度带隙基准电路设计

来源 :2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaofyk

【摘要】

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随着SoC在便携产品中越来越多的应用,低功耗技术变得越来越重要.针对SoC系统的低功耗需求,本文采用华润上华0.18um CMOS工艺在Aether全定制集成电路设计环境下完成了一种低功

【作者】

：

王玉娇黄静孙玲韩笑

【机构】

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电子信息学院,南通大学,上海201603

【出处】

：

2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

【发表日期】

：

2016年期

【关键词】

：

低功耗技术 SOC系统高精度带隙基准电路设计全定制集成电路电源抑制比温度系数

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随着SoC在便携产品中越来越多的应用,低功耗技术变得越来越重要.针对SoC系统的低功耗需求,本文采用华润上华0.18um CMOS工艺在Aether全定制集成电路设计环境下完成了一种低功耗的CMOS电压基准电路设计.仿真结果表明:该电路(含启动电路)的功耗小于500nW.在1.2V-1.8V电压范围内,输出基准电压为605mV;在-40℃到140℃内,温度系数TC为40ppm/℃;10kHz带宽范围内的电源抑制比PSRR为37dB.

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