【摘 要】
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本文采用电子束蒸发的方法制备出不同厚度的TiO2薄膜,通过研究Pt/TiO2/Pt三明治结构的双极性电阻开关特性,发现电阻开关比和开关阈值电压与中间功能层厚度有密切的关系.该器
【机 构】
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国防科技大学计算机学院 长沙 410073
【出 处】
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第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)
论文部分内容阅读
本文采用电子束蒸发的方法制备出不同厚度的TiO2薄膜,通过研究Pt/TiO2/Pt三明治结构的双极性电阻开关特性,发现电阻开关比和开关阈值电压与中间功能层厚度有密切的关系.该器件表现出良好的非易失性存储特性和可配置开关特性,而且器件结构简单,与CMOS工艺兼容性好,可用于新型纳米电阻随机存储器和忆阻器的研究.
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