【摘 要】
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利用PC1D 太阳能模拟软件对晶体硅太阳电池SiNx-SiNx-SiO2 叠层减反射薄膜进行了分析,得到适用于156×156mm2 晶体硅电池的最佳SiNx-SiNx-SiO2 叠层减反射薄膜中SiO2 薄
【机 构】
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内蒙古日月太阳能科技有限责任公司,呼和浩特010111
【出 处】
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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会
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利用PC1D 太阳能模拟软件对晶体硅太阳电池SiNx-SiNx-SiO2 叠层减反射薄膜进行了分析,得到适用于156×156mm2 晶体硅电池的最佳SiNx-SiNx-SiO2 叠层减反射薄膜中SiO2 薄膜的厚度为2～8 nm.然后采用硝酸、过氧化氢和盐酸的混合溶液对去除周边PN 结和表面磷硅玻璃层的晶体硅片先进行湿法氧化,再利用管式扩散炉对其进行低温热氧化,使前一步湿法氧化制备的SiO2 薄膜厚度增加并变得更加致密,最后再利用PECVD 法在SiO2 膜上沉积双层氮化硅薄膜,制备SiNx-SiNx-SiO2 叠层减反射薄膜.利用椭圆激光偏振仪、扫描电镜、少子寿命测试仪及BACCINI 电池检测仪对叠层薄膜厚度、折射率、表面形貌、电池少子寿命及各项电学性能参数进行测试.结果表明：应用本实验方法制备的SiNx-SiNx-SiO2 叠层钝化薄膜均匀致密,等效膜厚为75～85nm,等效折射率为2.03～2.18；薄膜减反射及钝化效果良好,批量生产的电池开路电压有所改善,短路电流明显提升100 多mA,反向漏电流下降约150mA,最终使得电池效率提升0.2％～0.3％.
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