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本文研究了ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤现象,借助SEM、XRD、EDS和XPS等方法对结瘤机理进行分析.结果表明,Sn02分解生成SnO或许是结瘤产生的内在原因.
ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤机理研究
【摘 要】
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本文研究了ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤现象,借助SEM、XRD、EDS和XPS等方法对结瘤机理进行分析.结果表明,Sn02分解生成SnO或许是结瘤产生的内在原因.
【机 构】
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中国船舶重工集团公司第七二五研究所,河南,洛阳,471023
【出 处】
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2014中国平板显示学术会议
【发表日期】
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2014年期
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