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可调谐DBR激光器、电吸收调制DFB激光器用高质量InGaAsP-MQW材料的选择区域生长
【机 构】
:
科学院半导体研究所光电子国家工艺中心(北京)
【出 处】
:
2000年全国基础光学与光物理学术报告会
【发表日期】
:
2000年8期
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