【摘 要】
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为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiOSi基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PB
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系(湖北武汉)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
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为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO<,2>Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol﹪Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的T<,max>值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.
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