【摘 要】
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铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)半导体材料因其具有较大的吸收系数(大于104 cm-1)，禁带宽度(1.45 eV 左右)与薄膜太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5 eV)十分接近，材料中各元素在地
【机 构】
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河南大学特种功能材料重点实验室,475004,开封
【出 处】
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第十四届全国太阳能光化学与光催化学术会议
论文部分内容阅读
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)半导体材料因其具有较大的吸收系数(大于104 cm-1)，禁带宽度(1.45 eV 左右)与薄膜太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5 eV)十分接近，材料中各元素在地壳中储藏量丰富等优势，成为取代铜铟镓硒材料作为薄膜太阳能电池吸收层的最佳候选材料之一.另外液相法制备薄膜太阳能电池对设备要求简单，从而大大降低生产成本低，有望大规模商业化生产.采用后硒化法掺入硒(Se)元素可以提高薄膜的结晶性.基于此，我们采用原位液相法旋涂制膜，经低温预烧、高温硒化得到Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 薄膜，并研究其相关的光电性能.
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