论文部分内容阅读
将聚变中子转换为质子,利用已知灵敏度的探测系统作绝对测量,研究国产砷化镓探测器的质子灵敏度。结果表明:镉上中子和14MeV中子辐照改性处理的国产GaAs:Cr光电导探测器(简称PCD)的质子直照灵敏度在1.0*10〈’-16〉 ̄2.2*10〈’16〉C/MeV范围,测量误差均匀±25℅。