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组成倾斜晶界的位错组可以通过攀移有效吸收辐照引起的点缺陷，从而能够避免因点缺陷累积而造成的材料肿胀、脆化与蠕变等辐照损伤现象。抗辐照材料设计相关的界面工程需要发展连续模型来研究点缺陷在倾斜晶界处的长时间吸收行为。然而，在现有的相关连续模型中，晶界位错都被假设成静态的理想吸收阱，即位错处的点缺陷浓度被固定为常值(热平衡浓度或攀移理论导出)。这些假设忽略了位错-点缺陷的短程相互作用，从而导致点缺陷的吸收行为仅由点缺陷扩散机制控制。由此，本研究在拓展位错相场模型来描述小角度对称倾斜晶界的基础上，利用最近发展的位错攀移相场模型来模拟倾斜晶界对于点缺陷的吸收行为，从而能够揭示点缺陷扩散机制与位错-点缺陷反应机制共同控制的点缺陷吸收过程。与理想吸收阱模型比较，位错攀移模型的模拟结果显示位错的运动会促进晶界对点缺陷的吸收能力。