论文部分内容阅读
主要介绍模样材料对消失模铸造的重要性;模样材料的研发情况;从理论和实践阐述了St-MMA是比EPS更优良的模样材料以及StMMA模样材料的应用成果.
消失模铸造模样材料研究和应用进展
【摘 要】
：
主要介绍模样材料对消失模铸造的重要性;模样材料的研发情况;从理论和实践阐述了St-MMA是比EPS更优良的模样材料以及StMMA模样材料的应用成果.
【机 构】
：
杭州凯斯特化工有限公司,浙江杭州 311106
【出 处】
：
中国第三届消失模铸造技术国际会议
【发表日期】
：
2008年3期
其他文献
采用光发射谱(OES)技术,对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH和H的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论.通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc-Si:H薄膜的结构特征与表面形貌.基于我们当前的沉积系统,对μc-Si:H薄膜沉积条件进
使用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜.分别利用XRD SEM、高阻Hall测量和光电导谱测量了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的征多晶硅薄膜具有[111]择优生长取向,而轻掺硼的多晶硅薄膜则同时具有[311]和[200]两个晶向上的掺优取向.通过轻微掺入硼,多晶硅薄膜晶粒尺寸分布的均匀性得到了很大提高.高阻Hall测量表明轻
目前纳晶电池中固体电解质可分为高分子固体电解质、有机空穴传输材料及无机P型半导体等三大类,而高分子固体电解质的研究进展最为迅速,工艺简便,光电转换率高,本文研究了此类电池的研究进展.
本文介绍了利用真空化合法合成的碲化镉(CdTe)材料制备的CdTe薄膜的结构,电学,光学性能的分析研究结果.将离子注入技术引进到CdTe薄膜的改性研究中,经实现发现,离子注入可以改善材料的结晶情况以及光学和电学性能.可以制备适合于制作廉价薄膜太阳光电池的优质的p型CdTe薄膜.
制备CIS薄膜太阳电池吸收层,金属预置层固态Se源后硒化法是一种低成本、安全简便的工艺.该方法制备的CIS薄膜其晶相表观结构与电学特性,主要由Cu、In元素配比、衬底温度、升温速率以及硒气浓度来决定.要使Cu、In、Se完全形成CuInSe薄膜,其衬底温度一定要大于395℃,而小于212℃时,则尚未形成三元化合物;硒化衬底温度升温过快,In或InSe容易被升华而缺In富Cu,且薄膜不均匀;升温速率
CuInSe(简称CIS)薄膜材料作为太阳电池的吸收层,以其高效、高稳定性、低价等特点,具有重要的应用前景.本文应用了DSC、XRD和ICAP研究了薄膜制备过程中In的损失问题.对多层膜结构样品升温实验发现,在156.61℃,In熔化时,有一部分In损失掉.而在350℃,CuInSe形成时,也有部分In损失掉.而在其它的温度范围内,In没有损失.由于In的含量对生成的CIS薄膜的光电特性及结构特性
采用真空离子束溅射反应沉积技术在不同N压强下制备了一组CN薄膜.研究这种薄膜的暗电导和在卤素光光源照射下的亮电导、响应时间等主要光电导性质与制备条件、掺杂以及氢化的关系.
超声喷雾热解技术和低温等离子体轰击表面改性是制备高阻透明SnO单层膜及低阻/高阻SnO复合膜的有效手段.所沉积的薄膜用于CdTe太阳电池,可以有效降低电池的暗电流,提高其并联电阻.本文用氩氧混合等离子体对SnO薄膜进行轰击改性,研究了薄膜不同轰击条件后结构和电学性质的变化.研究了超声喷雾热解技术中,衬底温度、溶剂中添双氧水与SnO薄膜的结构、电学性质的关系.XRD、四探针电阻测试结果表明.等离子体
本文首先从三个方面定义了环保性纺织品的范围,然后论述了全球及台湾省环保性纺织品的发展现状,最后指出了绿色纺织品的发展方向.
振实台是消失模铸造必备的关键设备之一,振动的效果直接影响到产品的成活率、尺寸精度、表面质量以及产品的品质。随着人们对消失模的认识和消失模技术的不断发展,对加砂振动紧实越来越重视.自动加砂系统更能有效地把加砂和振动结合起来,更加快捷,高效的工作.对加砂振实系统的长期稳定的运行、参数精确控制以及高效自动化运行等都有了明确的要求,为此我们研制了许多方案,对振实台效果进行了认真比对并获得了一定的认识和经验