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该文利用ＳｉＯ＜，２＞和活性炭的固相合成法制备出了哑铃形ＳｉＣ晶须。哑铃形晶须由直杆状ＳｉＣ晶须和念珠状多晶体物质组成。直杆状晶须的直径约为４０～３００ｎｍ，念珠状物质的直径约为６０～５００ｎｍ。Ｘ射线和电子衍射的结果表明制备出的ＳｉＣ晶须的晶型为ｂ－ＳｉＣ。哑铃形ＳｉＣ晶须的生成过程可能是气相反应过程。