【摘 要】
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托卡马克等离子体大破裂将感应出非常高的环向电场,从而常常导致高能逃逸电子产生,其能量范围从几MeV到几十MeV.这些逃逸电子在等离子体熄灭时会局域地撞击在装置第一壁材料
【机 构】
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核工业西南物理研究院,四川成都,610041
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托卡马克等离子体大破裂将感应出非常高的环向电场,从而常常导致高能逃逸电子产生,其能量范围从几MeV到几十MeV.这些逃逸电子在等离子体熄灭时会局域地撞击在装置第一壁材料上,使这些材料在瞬间承受极大的热负荷,从而损伤材料的性能,缩短材料的使用寿命,影响装置的安全运行.通过对HL-2A装置大量的等离子体破裂研究分析,可以进一步加深对破裂期间逃逸电子产生的理解.利用HL-2A装置硬x射线和中子诊断系统,可以观察到逃逸电子产生于破裂初始阶段,HL-2A装置破裂电流的转换效率约为55％.由于破裂期间等离子体本底电子温度非常低(约50eV),因此可以利用软X射线相机对破裂逃逸束的时空演化进行观察.测量结果显示:破裂逃逸电子产生于等离子体芯部,破裂发生几ms后便形成了逃逸束,逃逸束直径约10 cm,逃逸束在芯部约束大约10 ms后向低场侧漂移.
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