CrO2薄膜的制备及VSM与FMR研究

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：SK_flyfox

【摘要】

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CrO2是一类重要的半金属材料,实验表明其具有～100％的自旋极化率[1],因此它在自旋电子器件,特别是磁性随机存储器(MRAM)中有重要应用.MRAM主要利用自旋阀或隧道结中的自旋转矩效

【作者】

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胡占江赵忠

【机构】

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兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室磁电子研究所,兰州 730000

【出处】

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中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

膜的制备 VSM 极化电流密度磁性随机存储器自旋阀自旋电子器件隧道结自旋极化率

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CrO2是一类重要的半金属材料,实验表明其具有～100％的自旋极化率[1],因此它在自旋电子器件,特别是磁性随机存储器(MRAM)中有重要应用.MRAM主要利用自旋阀或隧道结中的自旋转矩效应(STT),即利用极化电流实现自旋阀或隧道结中自由层磁矩的翻转来实现记录0或1,而只有极化电流密度超过临界电流密度值时才可实现磁矩的翻转.

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