【摘 要】
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本文对耐压要求为700V的LDMOS进行了研究。通过分析影响LDMOS参数的各种因素，以BCD工艺为基础，借助模拟软件Tsuprem4及MEDICI对Double-Resurf和多晶场板结构的LDMOS进行了工艺
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
论文部分内容阅读
本文对耐压要求为700V的LDMOS进行了研究。通过分析影响LDMOS参数的各种因素，以BCD工艺为基础，借助模拟软件Tsuprem4及MEDICI对Double-Resurf和多晶场板结构的LDMOS进行了工艺器件联合仿真，优化了LDMOS的设计。对Psub-Nwell和Psub-nepi两种结构的LDMOS进行了比较，Psub-nepi结构相对于Psub-Nwell结构有很多优势。
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