【摘 要】
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稀磁半导体材料由于在自旋电子学方面的潜在应用价值已经得到了广泛的研究,但其居里温度低、室温铁磁性弱以及机理的不明确严重制约着该类材料的发展和应用.近年来,随着信息
【机 构】
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河北师范大学物理科学与信息工程学院,石家庄050024
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稀磁半导体材料由于在自旋电子学方面的潜在应用价值已经得到了广泛的研究,但其居里温度低、室温铁磁性弱以及机理的不明确严重制约着该类材料的发展和应用.近年来,随着信息存储技术的快速发展,对具有高密度、高速度、非挥发、低能耗随机存储器的研究受到了广泛的关注.其中,用电场替代磁场来控制磁性以实现信息的高速度、低能耗写入成为了研究的热点.最近我们在以金属氧化物稀磁半导体材料为介质的阻变存储器的研究中发现了阻变过程中外电场导致的磁性改变[1],这为稀磁半导体材料磁性的电场调控提供了简单有效的方法,也为实现RRAM的多维度存储提供了可能.本文报道不同基底对ZnO薄膜磁性的影响.
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