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低能X射线在材料界面附近的剂量分布
低能X射线在材料界面附近的剂量分布
来源 :第八届全国核电子学与核探测技术学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhifuhu
【摘 要】
:
该工作用多层Al电离室测量了X射线发生器产生的不同能量的宽谱X射线对Al与不同材料交界时界面过渡区剂量梯度分布;研究了界面两侧材料的原子序数、射线能量和入射方向与剂量增强效应
【作 者】
:
吾勤之
巴维真
【机 构】
:
科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
【出 处】
:
第八届全国核电子学与核探测技术学术年会
【发表日期】
:
1996年期
【关键词】
:
低能
X射线
材料
界面附近
剂量增强效应
界面过渡区
射线发生器
原子序数
梯度分布
射线能量
入射方向
不同组分
电子对
电离室
宽谱
交界
多层
测量
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该工作用多层Al电离室测量了X射线发生器产生的不同能量的宽谱X射线对Al与不同材料交界时界面过渡区剂量梯度分布;研究了界面两侧材料的原子序数、射线能量和入射方向与剂量增强效应的关系。探讨了界面两侧材料中产生的不同组分次级电子对过渡区剂量颁上的贡献。
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