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为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种解析模型.通过与器件模拟工具ISE TCAD模拟结果的比较,验证了该模型的正确性,并讨论了该模型的相关性质,分析了栅极和漏区对漂移区电势和电场分布的影响.