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探讨了太阳能级硅中氧杂质对电池性能可能的影响，并据此对激光刻槽埋电池的工艺加以优化。在此基础上，制作的大面积（２５．２５ｃｍ〈’２〉）太阳电池的转换效率达到１６．５９℅。
太阳能级硅激光刻槽埋栅电池的研究
【摘 要】
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探讨了太阳能级硅中氧杂质对电池性能可能的影响，并据此对激光刻槽埋电池的工艺加以优化。在此基础上，制作的大面积（２５．２５ｃｍ〈’２〉）太阳电池的转换效率达到１６．５９℅。
【机 构】
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师范大学低能核物理研究所
【出 处】
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第五届全国光伏技术学术研讨会
【发表日期】
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1998年期
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