【摘 要】
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以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、4.2-300K温区内的磁致电阻效应。结果表明：Pt-111在0～16T场强、4.2～77K温区内,磁效应随场强的增加和温度的降
【机 构】
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中国科学院强磁场科学中心,合肥 230031
【出 处】
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第十届全国低温工程大会暨中国航天低温专业信息网2011年度学术交流会
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以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、4.2-300K温区内的磁致电阻效应。结果表明：Pt-111在0～16T场强、4.2～77K温区内,磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高,77～300K温区内温度计受磁场的影响较小,其中在16T、4.2K和16T、300 K处的磁效应分别为48.2％和1.07％；在4.2-77 K温区,Pt-111由磁阻引起的测量误差随场强的升高和温度的降低而明显升高,在16T、4.2K处和16T、77 K处的温度测量误差分别为18.3 K和1.69 K。Pt-111不推荐应用在77 K以下的磁场环境。
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