【摘 要】
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论文采用玻璃晶化法以钾长石为原料制备MgO-Al2O3-SiO2系介电陶瓷材料.采用差热分析(DSC),X射线粉晶衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)分别研究了介电陶瓷材料的晶化行为,
【机 构】
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中国地质大学(武汉)材料与化学学院 武汉 430074
【出 处】
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第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议
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论文采用玻璃晶化法以钾长石为原料制备MgO-Al2O3-SiO2系介电陶瓷材料.采用差热分析(DSC),X射线粉晶衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)分别研究了介电陶瓷材料的晶化行为,晶相组成及显微结构；探讨了烧结温度对材料结构与性能的影响.陶瓷烧结温度为900～1100℃,晶相组成为顽火辉石、氧化铝、氧化硅、尖晶石及堇青石；随着烧结温度升高氧化硅相含量降低,烧结温度高于1050℃,出现少量堇青石相.陶瓷孔隙率随着烧结温度升高而减小,当烧结温度为1080℃时,完全致密化.陶瓷的介电常数为6.3～7.5(1～10MHz),烧结温度为1000℃时达到最小为6.3～6.6(1～10MHz)；陶瓷烧结温度高于1000℃时,介电损耗小于0.01(1～10MHz),介电损耗随烧结温度先减小再增大,当烧结温度为1000℃时最小为0.005；陶瓷抗折强度为95～129MPa,且随着烧结温度升高先增大再减小,当烧结温度为1050℃时,抗折强度达到最大值为129MPa；此外,在1080℃制备的陶瓷热膨胀系数为7.12×10-6K-1.这种陶瓷材料具有低介电常数及损耗,高力学强度,热膨胀系数适中的优良特点,可以应用作为一种优异的介电材料.
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