【摘 要】
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缓冲层阶段由于晶界的存在,特别是晶界密度高时,生长过程中引入的张应力会限制CaN层的生长厚度,AlN种子层后原位生长SiN作为掩摸层横向外延生长GaN不仅可以减少位错提高晶体
【机 构】
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缓冲层阶段由于晶界的存在,特别是晶界密度高时,生长过程中引入的张应力会限制CaN层的生长厚度,AlN种子层后原位生长SiN作为掩摸层横向外延生长GaN不仅可以减少位错提高晶体质量,而且可以降低生长中的张应力。低温AlN插入层是一种平衡降温过程中产生张应力行之有效的方法。本文采取SiN掩摸层横向外延和低温AlN插入层相结合的方法制备出了1.7μm无裂纹的GaN,并结合光学显微镜、X射线衍射和原子力显微镜对其进行了研究分析。
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