【摘 要】
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在硅基衬底上分别采用单缓冲层（高温AlN）和双缓冲层（高温AlN＋低温GaN）上生长相同厚度的GaN 外延片，利用双晶X射线衍射（DCXRD）与透射电子显微镜（TEM）对外延层观察，结果发现单缓冲层上生长
【机 构】
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河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130
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在硅基衬底上分别采用单缓冲层（高温AlN）和双缓冲层（高温AlN＋低温GaN）上生长相同厚度的GaN 外延片，利用双晶X射线衍射（DCXRD）与透射电子显微镜（TEM）对外延层观察，结果发现单缓冲层上生长的样品晶体质量较差，内部含有位错、反畴区和亚晶粒等缺陷，而双缓冲层上生长的GaN 只含有较低密度的位错，说明双缓冲层有效地降低了缺陷密度。并对双缓冲层减少缺陷的机理进行了研究。
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