【摘 要】
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硅中的硼氧复合体会引起光衰减,直拉硅中的同族元素掺杂可有效抑制硼氧复合体的形成.相对于传统直拉硅而言,同族元素掺杂直拉硅中的硼氧复合体饱和浓度相对较低,而形成激活能
【机 构】
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硅材料国家重点实验室,材料科学与工程系,浙江大学,杭州310027
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硅中的硼氧复合体会引起光衰减,直拉硅中的同族元素掺杂可有效抑制硼氧复合体的形成.相对于传统直拉硅而言,同族元素掺杂直拉硅中的硼氧复合体饱和浓度相对较低,而形成激活能相对较高.通过第一性原理计算,发现间隙氧与掺杂的同族元素间有较强的相互作用:碳可与间隙氧和双氧形成复合体,且可增加氧的扩散势垒;而锗和锡同样会提高氧的扩散势垒,同时会影响双氧的结合能.借助理论计算结果,可以很好的解释实验中观察到的光衰减抑制现象.
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