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NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应
【机 构】
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上海大学超导及应用技术研究中心,上海大学,上海200444,中国 信息功能材料国家重点实验室,中国
【出 处】
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
【发表日期】
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2011年3期
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将Alq3和Eu(TTA)3phen共掺杂进入主体材料CBP中，我们制作并研究了一系列电致发光器件。经过优化Alq3的掺杂浓度，在不破坏色纯度的情况下，器件的效率衰减被大大降低并获得了近乎加倍的最大亮度。有趣的是，我们发现发光层中的Alq3分子不仅促进了电子的注入和传输，还延缓了空穴的传输。借助电致发光光谱，我们证实Alq3分子作为阶梯加速空穴从CBP分子到Eu(TTA)3phen分子的迁移，从而
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