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本文通过化学气相沉积过程进行了碳纳米管阵列的制备,并考察了在该过程中添加弱氧化气氛CO2对碳纳米管阵列生长的影响。实验结果表明,生长过程中添加CO2可对热化学气相沉积过程制备的碳纳米管的结构(管径,壁数)进行控制;高温下氧化过程可消除制备过程中生成的热解炭,提高碳纳米管质量。高温下CO2氧化可进一步削弱碳纳米管阵列与基板的结合作用力,促进阵列与基板的分离,为大规模生产中阵列的批量分离提供了一种手段。