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该研究中，将离轴照明与相移掩模技术结合起来，在掩模上同时实现两种功能，可较大程度提高光启程分辨力，实验表明，在数值孔径０．４２，ｉ线曝光波长下，可将光刻分辨力从０．８微米提高到０．５微米。
用于光刻的高分辨力离轴掩模研究
【摘 要】
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该研究中，将离轴照明与相移掩模技术结合起来，在掩模上同时实现两种功能，可较大程度提高光启程分辨力，实验表明，在数值孔径０．４２，ｉ线曝光波长下，可将光刻分辨力从０．８微米提高到０．５微米。
【机 构】
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院光电所微细加工光学技术国家实验(成都)
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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1999年期
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