室温连续激射的GaN基多量子阱激光器

• 作 者: 张立群 张书明 江德生 朱建军 赵德刚 杨辉
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京100083中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京100083中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123
• 出 处: 第11届全国固体薄膜会议
• 发表日期: 2008年10期
• 关键词: 激光器 直流激射 串连电阻 量子阱 直流电学 光学特性

生长并制作了GaN基多量子阱激光器,实现了室温连续激射.以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)系统上生长激光器外延片.制作了2.5μm×800μm的脊形波导激光器.测试了激光器在室温下的直流电学和光学特性。293K时直流连续激射的阈值电流为115mA,阈值电压为10.5V.观察到了随电流增加由热导致的串连电阻下降、激射光谱红移、高阶膜激射的现象.通过变温光谱测量,估计了有源区温度.