【摘 要】
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ZnO是最有前景的宽带隙半导体发光材料之一,其激子束缚能高达60 meV,在室温下激子也能稳定存在,有望实现高效的激子发光和低阈值激射.但ZnO室温下带边发光可能由多种发光
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室,杭州310027
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ZnO是最有前景的宽带隙半导体发光材料之一,其激子束缚能高达60 meV,在室温下激子也能稳定存在,有望实现高效的激子发光和低阈值激射.但ZnO室温下带边发光可能由多种发光跃迁组成,对其发光本质的认识还没完全清楚.根据文献报道[1],ZnO室温带边发光峰位可在3.2-3.3eV之间移动,自由激子及其声子伴线、缺陷相关的发光均可能对其产生贡献.因此,研究ZnO带边发光的本质并廓清不同制备条件下激子复合对带边发光的真正贡献程度,进而控制带边发光的复合/跃迁类型,对充分发挥ZnO激子束缚能大的优点,实现ZnO材料的发光器件应用,具有重要的意义.
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